MOS管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

檢測(cè)周期 ：7-10個(gè)工作日出具M(jìn)OS管檢測(cè)報(bào)告。

MOS管檢測(cè)范圍：

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(N溝道)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(P溝道)、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(N溝道)、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(P溝道)等;

MOS管檢測(cè)項(xiàng)目：

阻抗性、噪聲檢測(cè)、動(dòng)態(tài)范圍、功耗檢測(cè)、等;